《轉貼文章》 2大DRAM廠年虧損創歷史新高 南科提4大新商機

分享:   2012-01-19 鉅亨網記者王以慧 台北　　// 台塑集團旗下DRAM廠南科(2408-TW)及華亞科(3474-TW)公布去年財報，合計虧損608.83億元，創下歷史新高，不過展望今年，南科認為，包括3D超高畫質電視市場、4G LTE手機出貨、社群網路商機以及Ultrabook產品皆是帶動今年DRAM廠成長新契機。 南科表示，今年中國大陸3D電視市場因許多3D頻道開播，市調機構估開播成長可達2000萬台，另外，超高畫質電視將成為次世代電視主流，多家國際電視大廠也積極推出超高畫質電視，每台超高畫質電視所需DRAM將高於一般電視。南科表示，針對電視產品線提供完整產品組合，從512Mb至1Gb DDR2 1066到1Gb至4Gb DDR3 1600等，先進的DDR3產品組合可滿足各電視大廠開發3D、超高畫質等各項先進性能的要求。 另一方面，今年將是 LTE 用戶數爆發性成長年，預期年成長率有望超過4倍。目前南科LPDDR產品目前已打入LTE手機晶片供應鏈，計劃於第1季進入量產期能帶動第2、3季營運成長。南科也預計於第1季推出30奈米高容量LPDDR2行動型記憶體產品，且開始送樣出貨。不僅傳輸速度可達到1066Mbps，因單顆顆粒容量倍增，封裝厚度將可進一步縮小，迎合行動裝置邁向更為輕薄的設計概念。 南科也表示，除已進入原先的OEM大廠外，並成功進入知名社群網站供應鏈，將以一系列低功耗、節能伺服器模組的完整產品線，與多家ODM系統商進行策略合作，推出DDR3L 1333/1600 8GB/16GB 1.35伏特的RDIMM，並已於2011年第4季量產出貨。同時南亞科技針對Intel的Romley伺服器平台，已準備好一系列低電壓、高速度的DDR3L 1600專用記憶體產品，進入伺服器市場。另外，南科產品2Gb/4Gb顆粒，已通過Intel認證，2Gb模組隨後獲得Intel官方認證。 而針對Ultrabook市場商機，南科已推出1.35伏特DDR3 4Gb(X8/X16) 1333~1600的樣品，去(2011)年底完成Intel Ivy Bridge平台認證，預計第1季將量產供給各大品牌筆電大廠。另外，針對2013年Intel將推出的Haswell平台，南亞科技計劃於今 // 轉貼來源: http://news.cnyes.com/content/20120119/KFHZSHU104UA2.shtml